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FKBA4903
N沟道和P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽技术可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于 PWM 应用。低 RDS(on),小封装外形,ESD 保护。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- FKBA4903
- 商品编号
- C730093
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A；25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V；9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF；1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF；80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF；76pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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