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SE4625
互补增强型MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。低RDS(on)、小封装尺寸、ESD保护
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE4625
- 商品编号
- C730094
- 商品封装
- DFN-6L-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V；12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V；57mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.38nC@4.5V；6.56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 469pF；673pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF；162pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF；175pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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