IRFD020PBF
1个N沟道 耐压:50V 电流:2.4A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFD020PBF
- 商品编号
- C727628
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HVMDIP技术是威世（Vishay）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。HVMDIP设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。HVMDIP具备MOSFET的所有既定优势，如电压控制、快速开关、易于并联以及电气参数的温度稳定性。 HVMDIP 4引脚双列直插式封装将HVMDIP的优势引入到需要自动插入印刷电路板的大批量应用中，如计算机、打印机、电信设备和消费产品的电路板。它们与自动插入设备的兼容性、薄型和端部可堆叠特性代表了功率器件封装的先进水平。
商品特性
- 适用于自动插入
- 结构紧凑、端部可堆叠
- 快速开关
- 易于并联
- 出色的温度稳定性
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 电信设备
- 消费产品