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20N03L TO252-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 20N03L TO252-VB
- 商品编号
- C724940
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,21.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门-服务器-直流-直流转换