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2SJ518-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ518-VB
- 商品编号
- C724948
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V；65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
优惠活动
购买数量
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