AO6403-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO6403-VB商品编号
C724964商品封装
TSOP-6-1.5mm包装方式
编带
商品毛重
0.051克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 4A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,4.1A | |
功率(Pd) | 2W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
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