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AO6403-VB

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:30V 电流:4A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    AO6403-VB
  • 商品编号

    C724964
  • 商品封装

    TSOP-6-1.5mm
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.051克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,4.1A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

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