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AP4435GJ-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域和模块。TO251；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP4435GJ-VB
- 商品编号
- C724976
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V；13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.455nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关-电池开关