AM30N06-39D-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 特性:沟槽功率MOSFET。 结温175℃。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AM30N06-39D-VB
- 商品编号
- C724954
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
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起订量:1 个2500个/圆盘
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