AO4447A-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:10.9A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于电源管理模块、电动车辆(EV)、混合动力车辆(HEV)和电动自行车(e-bike)中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8;P—Channel沟道,-30V;-13.5A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.4~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4447A-VB商品编号
C724961商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.132克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 10.9A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,10A | |
功率(Pd) | 2.7W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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