S25HS01GTFAMHB013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS01GTFAMHB013
商品编号: C6670686
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.747克(g)

商品参数

商品概述

该产品采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。扇区架构选项包括统一架构和混合架构。混合架构提供两种配置：配置1的地址空间包含三十二个4KB扇区，这些扇区位于顶部或底部，其余扇区均为256KB；配置2的地址空间包含三十二个4KB扇区，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB。页编程缓冲区为256或512字节。安全硅阵列大小为1024字节。接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI。Quad SPI支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议，SDR模式运行速度最高达83MBps，DDR模式运行速度最高达102MBps。Dual SPI支持1S-2S-2S协议，SDR模式运行速度最高达41.5MBps。SPI支持1S-1S-1S协议，SDR模式运行速度最高达21MBps。

商品特性

安全特性：提供功能安全性，具备高耐久性和长保持时间分区。数据完整性CRC可检测存储阵列错误。内置错误校正码可校正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误。擦除状态指示器可指示电源在擦除期间是否中断。
保护特性：提供传统块保护功能。提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护功能。
上电后立即访问存储阵列。
支持通过CS#信号、独立RESET#引脚或DQ3_RESET#引脚进行硬件复位。
提供串行闪存可发现参数，用于描述设备功能和特性。
提供设备识别、制造商识别和识别信息。
数据完整性：256Mb器件主阵列的最小编程-擦除周期为640,000次；512Mb器件主阵列的最小编程-擦除周期为1,280,000次；1Gb器件主阵列的最小编程-擦除周期为2,560,000次。所有器件的4KB扇区最小编程-擦除周期为300,000次。最小数据保持时间为25年。
工作电压：1.7V至2.0V，或2.7V至3.6V。
工作温度范围：工业级为-40℃至+85℃；工业增强级为-40℃至+105℃；汽车级AEC-Q100 Grade 3为-40℃至+85℃；汽车级AEC-Q100 Grade 2为-40℃至+105℃；汽车级AEC-Q100 Grade 1为-40℃至+125℃。
封装：256Mb和512Mb器件提供24球BGA、16引脚SOIC和8触点WSON封装；1Gb器件提供24球BGA和16引脚SOIC封装。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	1.7V~2V
	待机电流	0.011mA
	擦写寿命	2560000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；ECC纠错；上电复位