Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S25HS01GTFAMHI010
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C6670688
Price: 111.24 CNY
Availability: OutOfStock

采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两位数据
扇区架构选项：统一型（地址空间由全部256 KB扇区构成）；混合配置1（地址空间由32个4 KB扇区组成，位于顶部或底部，其余扇区均为256 KB）；混合配置2（地址空间由32个4 KB扇区组成，在顶部和底部平均分配，其余扇区均为256 KB）
页编程缓冲区为256或512字节
1024字节（32 × 32字节）的OTP安全硅阵列
支持Quad SPI，协议包括1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D；SDR模式运行速率高达83 MBps（时钟速度166 MHz）；DDR模式运行速率高达102 MBps（时钟速度102 MHz）
支持Dual SPI，协议为1S-2S-2S；SDR模式运行速率高达41.5 MBps（时钟速度166 MHz）
支持SPI，协议为1S-1S-1S；SDR模式运行速率高达21 MBps（时钟速度166 MHz）
功能安全特性：符合ISO26262 ASIL B标准并支持ASIL D的NOR Flash；英飞凌Endurance Flex架构提供高耐久性和长保持时间分区；数据完整性CRC检测存储阵列错误；SafeBoot报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项；内置错误校正码（ECC）可校正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误（SECDED）；扇区擦除状态指示器，用于擦除期间断电的情况
保护特性：针对存储阵列和设备配置的传统块保护；基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
AutoBoot功能支持上电后立即访问存储阵列
通过JEDEC串行Flash复位信令协议/独立的RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
串行Flash可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性
设备识别、制造商识别和识别
数据完整性：512 Mb器件主阵列最小1,280,000次编程-擦除周期；1 Gb器件主阵列最小2,560,000次编程-擦除周期；所有器件的4KB扇区最小300,000次编程-擦除周期；最小25年数据保持时间
电源电压：1.7 V ~ 2.0 V（HS-T）；2.7 V ~ 3.6 V（HL-T）
等级/温度范围：工业级（-40℃ ~ +85℃）；工业增强级（-40℃ ~ +105℃）；汽车AEC-Q100 3级（-40℃ ~ +85℃）；汽车AEC-Q100 2级（-40℃ ~ +105℃）；汽车AEC-Q100 1级（-40℃ ~ +125℃）
封装：512 MB：16引脚SOIC（300 mil）- SO3016；24球BGA 6×8 mm；8触点WSON 6×8 mm；1 GB：16引脚SOIC（300 mil）- SO3016；24球BGA 8×8 mm；16引脚SOIC（300 mil）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	102MHz
	工作电压	1.7V~2V
	待机电流	11uA
	擦写寿命	2560000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	44ms
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位

S25HS01GTFAMHI010

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商品特性

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