S25HS01GTFAMHI010
512 Mb/1 Gb SEMPER闪存,四路SPI接口,1.8 V/3.0 V
- 描述
- 特性:Infineon 45-nm MIRRORBIT™技术,可在每个存储阵列单元中存储两位数据。 扇区架构选项: -统一架构:地址空间由所有256 KB扇区组成。混合配置1:地址空间由32个4 KB扇区组成,这些扇区位于顶部或底部,其余扇区均为256 KB。混合配置2:地址空间由32个4 KB扇区组成,这些扇区平均分布在顶部和底部,其余扇区均为256 KB。 256或512字节的页面编程缓冲区。 1024字节(32 × 32字节)的一次性可编程(OTP)安全硅阵列。 支持Quad SPI,支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议,SDR选项最高运行速度为83-MBps(166 MHz时钟速度),DDR选项最高运行速度为102-MBps(102 MHz时钟速度)。 支持Dual SPI,支持1S-2S-2S协议,SDR选项最高运行速度为41.5-MBps(166 MHz时钟速度)
- 商品型号
- S25HS01GTFAMHI010
- 商品编号
- C6670688
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 4.483333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 102MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 待机电流 | 11uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 2560000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 44ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 25年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | ECC纠错;上电复位 |
- S-13R1F34-M5T1U3
- S25HS01GTFAMHV010
- S-13R1F35-M5T1U3
- S25HS02GTDZBHM053
- S-13R1F37-I4T1U3
- S25HS512TDPBHB013
- S-13R1F38-M5T1U3
- S25HS512TDPBHM013
- S-13R1G24-N4T1U3
- S25HS512TDPMHB013
- S-13R1G26-A4T2U3
- S25HS512TDPNHI010
- S-13R1G26-N4T1U3
- S25HS512TFABHV013
- S-13R1G28-M5T1U3
- S25HS512TFAMHB010
- S-13R1G2J-A4T2U3
- S25HS512TFANHM013
- S-13R1G2J-M5T1U3
- S26HL01GTFPBHB030
- S-13R1G31-I4T1U3
