S25HS01GTFAMHV010
S25HS01GTFAMHV010
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25HS01GTFAMHV010
- 商品编号
- C6670690
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~2V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | ECC纠错;上电复位 |
商品特性
- 英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术,可在每个存储阵列单元中存储两位数据
- 扇区架构选项:
- 统一架构:地址空间由所有256KB扇区组成
- 混合配置1:地址空间由32个4KB扇区组成,这些扇区集中在顶部或底部,其余扇区均为256KB
- 混合配置2:地址空间由32个4KB扇区组成,这些扇区平均分布在顶部和底部,其余扇区均为256KB
- 256或512字节的页面编程缓冲区
- 1024字节(32×32字节)的一次性可编程(OTP)安全硅阵列
- 四路SPI:
- 支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议
- 单数据速率(SDR)选项最高运行速度达83MBps(166MHz时钟速度)
- 双数据速率(DDR)选项最高运行速度达102MBps(102MHz时钟速度)
- 双SPI:
- 支持1S - 2S - 2S协议
- SDR选项最高运行速度达41.5MBps(166MHz时钟速度)
- SPI:
- 支持1S - 1S - 1S协议
- SDR选项最高运行速度达21MBps(166MHz时钟速度)
- 功能安全特性:
- 具备行业首个符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存功能安全
- 英飞凌Endurance Flex架构提供高耐久性和长保留分区
- 数据完整性循环冗余校验(CRC)可检测存储阵列中的错误
- SafeBoot可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码(ECC)可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误(SECDED)
- 扇区擦除状态指示器用于擦除过程中的掉电情况
- 保护特性:
- 针对存储阵列和设备配置的传统块保护
- 基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
- 自动启动功能可在通电后立即访问存储阵列
- 通过JEDEC串行闪存复位信令协议/单个RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
- 串行闪存可发现参数(SFDP)描述设备功能和特性
- 设备标识、制造商标识和唯一标识
- 数据完整性:
- 256Mb设备:主阵列的最小编程 - 擦除周期为640,000次
- 512Mb设备:主阵列的最小编程 - 擦除周期为1,280,000次
- 1Gb设备:主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次
- 所有设备:4KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次,最小数据保留时间为25年
- 电源电压:
- 1.7V至2.0V(HS - T)
- 2.7V至3.6V(HL - T)
- 等级/温度范围:
- 工业级(-40°C至+85°C)
- 增强工业级(-40°C至+105°C)
- 汽车AEC - Q100 3级(-40°C至+85°C)
- 汽车AEC - Q100 2级(-40°C至+105°C)
- 汽车AEC - Q100 1级(-40°C至+125°C)
- 封装:
- 256MB和512MB:
- 16引脚SOIC(300密耳) - SO3016
- 24球BGA 6×8mm
- 16引脚SOIC(300密耳)
- 8触点WSON 6×8mm
- 1GB:
- 16引脚SOIC(300密耳) - SO3016
- 24球BGA 8×8mm
- 16引脚SOIC(300密耳)
- 256MB和512MB:
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