Name: Infineon(英飞凌) S25FL128SAGBHB200
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C6670655
Price: 22.48 CNY
Availability: OutOfStock

具有通用I/O的3.0伏CMOS核心
带有多I/O的串行外设接口（SPI）
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率（DDR）选项
扩展寻址：24位或32位地址选项
串行命令集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K和S25FL - P SPI系列兼容
多I/O命令集和引脚布局与S25FL - P SPI系列兼容
读取命令：普通、快速、双倍、四倍、快速DDR、双倍DDR、四倍DDR
自动启动 - 上电或复位后，在预选地址自动执行普通或四倍读取命令
用于配置信息的通用闪存接口（CFI）数据
编程（1.5 Mbytes/s）：256或512字节页编程缓冲区选项；适用于慢速时钟系统的四倍输入页编程（QPP）；自动ECC - 内部硬件纠错码生成，可纠正单比特错误
擦除（0.5 ~ 0.65 Mbytes/s）：混合扇区大小选项 - 地址空间顶部或底部有32个4千字节扇区的物理集，其余扇区为64千字节，与前代S25FL设备兼容；统一扇区选项 - 始终擦除256千字节块，以实现与更高密度和未来设备的软件兼容性
循环耐久性：至少100,000次编程 - 擦除循环
数据保留：至少20年数据保留
安全特性：1024字节的一次性可编程（OTP）阵列；块保护：状态寄存器位，用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护；硬件和软件控制选项；高级扇区保护（ASP）：由引导代码或密码控制的单个扇区保护
采用赛普拉斯65纳米MirrorBit技术和Eclipse架构
核心电源电压：2.7V ~ 3.6V
I/O电源电压：1.65V ~ 3.6V
SO16和FBGA封装
温度范围/等级：工业级（-40°C ~ +85°C）；工业增强级（-40°C ~ +105°C）；汽车级AEC - Q100 3级（-40°C ~ +85°C）；汽车级AEC - Q100 2级（-40°C ~ +105°C）；汽车级AEC - Q100 1级（-40°C ~ +125°C）
封装（均为无铅）：16引脚SOIC（300密耳）；6×8毫米WSON；6×8毫米BGA - 24；5×5球（FAB024）和4×6球（FAC024）引脚布局选项；已知良品裸片和已知测试裸片

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	128Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	70uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	250us
	块擦除时间(tBE)	520ms@(256KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

S25FL128SAGBHB200

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