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WSF3012
WSF3012
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- 描述
- Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -15 VGS(th)(v) -1.6 RDS(ON)(m?)@4.437V 35 Qg(nC)@4.5V 8 QgS(nC) 3.3 Qgd(nC) 2.3 Ciss(pF) 757 Coss(pF) 122 Crss(pF) 88
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3012
- 商品编号
- C719273
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 32.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WsF3012是一款高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WsF3012符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% 保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器