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SST70R750S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 380pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结MOS场效应晶体管（SSMOS-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。超结场效应晶体管（SJ-FET）适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺超结场效应晶体管
- 结温（TJ）为150°C时，耐压750V
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.68Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 12.5nC）
- 100%经过雪崩测试