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DMN3027LFG-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.3A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3027LFG-13
- 商品编号
- C6601818
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4805是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4805为无铅产品。
商品特性
- 低RDS(ON)— 确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 仅占用 SO-8 封装电路板面积的 33%,可实现更小的终端产品
- 100% 经过 UIS(雪崩)额定测试
- 100% 经过 Rg 测试
- 无铅涂层;符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
应用领域
- 背光照明
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能