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DMN10H220LFVW-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:11A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LFVW-13
- 商品编号
- C6601816
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 222mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 366pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电池管理应用 电源管理功能 DC - DC转换器
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关