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DMN1004UFDF-13
1个N沟道 耐压:12V 电流:15A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1004UFDF-13
- 商品编号
- C6601814
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.385nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 520pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-负载开关-电源管理功能