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IXTH2N150L实物图
  • IXTH2N150L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH2N150L

IXTH2N150L

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商品型号
IXTH2N150L
商品编号
C6577995
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)290W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))6V
栅极电荷量(Qg)72nC@15V
输入电容(Ciss)1.47nF@25V
反向传输电容(Crss)30pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 高阻断电压
  • 高压封装
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压电源
  • 电容放电应用
  • 脉冲电路
  • 激光和X射线发生系统

数据手册PDF