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IXTH2N150L实物图
  • IXTH2N150L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTH2N150L

IXTH2N150L

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商品型号
IXTH2N150L
商品编号
C6577995
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)290W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))6V
栅极电荷量(Qg)72nC@15V
输入电容(Ciss)1.47nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 专为线性操作设计
  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 75°C 时保证有正向偏置安全工作区(FBSOA)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 直流斩波器
  • 直流-直流转换器
  • 电池充电器
  • 可编程负载
  • 电流调节器
  • 温度和照明控制

数据手册PDF