IXTX17N120L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
商品概述
该器件采用了先进的新型沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具备低栅极电荷的特性。 该器件针对开关应用进行了优化，可提高DC/DC转换器的整体效率，并支持更高的开关频率运行。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.010 Ω（典型值），VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.017 Ω（典型值），VGS = 4.5 V
- Qg（典型值） = 13nC，VGS = 5 V
- Qgd（典型值） = 4.5nC
- CISS（典型值） = 1450 pF
应用领域
- DC/DC转换器
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