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IXTR40P50P

IXTR40P50P

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商品型号
IXTR40P50P
商品编号
C6578022
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)312W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)205nC@10V
输入电容(Ciss)11.5nF
反向传输电容(Crss)93pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化 RDS(on),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

商品特性

  • 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
  • UL认证封装
  • 隔离安装面
  • 2500V电气隔离
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定
  • 快速本征二极管
  • 耐用极性工艺
  • 低栅极电荷(QG)
  • 低漏极到散热片电容
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备
  • 电流调节器

数据手册PDF