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IXTP1N120P实物图
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IXTP1N120P

IXTP1N120P

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商品型号
IXTP1N120P
商品编号
C6578017
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
属性参数值
连续漏极电流(Id)1A
耗散功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th))2.5V

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

-国际标准封装-具备非箝位感性开关 (UIS) 额定值-封装电感低-易于驱动和保护-易于安装-节省空间-功率密度高

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人和伺服控制

数据手册PDF