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IXTJ4N150

IXTJ4N150

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商品型号
IXTJ4N150
商品编号
C6578008
商品封装
ISO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)44.5nC@10V
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 硅芯片置于直接覆铜陶瓷基板(DCB)上
  • 隔离安装面
  • 2500V~电气隔离
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压电源
  • 电容放电应用
  • 脉冲电路

数据手册PDF