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IXFJ20N85X实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

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商品型号
IXFJ20N85X
商品编号
C6577941
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on))360mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.66nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并且在市场上拥有最佳的降本性能比。

商品特性

  • 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
  • 隔离安装面
  • 2500V~电气隔离
  • 雪崩额定
  • 低RDS(ON)和QG
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF