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IXTF1N250

IXTF1N250

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商品型号
IXTF1N250
商品编号
C6577991
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)2.5kV
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 硅芯片置于直接敷铜(DCB)基板上
  • 隔离安装面
  • 2500V 电气隔离
  • 模塑环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高压电源
  • 电容放电
  • 脉冲电路

数据手册PDF