- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTF1N250
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 硅芯片置于直接敷铜(DCB)基板上
- 隔离安装面
- 2500V 电气隔离
- 模塑环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容放电
- 脉冲电路