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IXFK20N120P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFK20N120P

IXFK20N120P

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商品型号
IXFK20N120P
商品编号
C6577953
商品封装
TO-264AA​
包装方式
管装
商品毛重
12.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))570mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)780W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))6.5V
栅极电荷量(Qg)193nC@10V
输入电容(Ciss)11.1nF@25V
反向传输电容(Crss)60pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

-快速本征二极管-动态 dv/dt 额定值-雪崩额定-低漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg)-低封装电感-高功率密度-易于安装-节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的放电电路-高压脉冲电源-交流和直流电机驱动器-高速功率开关应用

数据手册PDF