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IXFN34N80实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN34N80

IXFN34N80

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商品型号
IXFN34N80
商品编号
C6577963
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)34A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V,34A
属性参数值
耗散功率(Pd)600W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 低导通电阻(RDS(on))的HDMOSTM工艺
  • 坚固的多晶硅栅极单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 温度和照明控制

数据手册PDF