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IXGN82N120B3H1引脚图
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IXGN82N120B3H1

IXGN82N120B3H1

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商品型号
IXGN82N120B3H1
商品编号
C6577984
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型PT(穿通型)
耗散功率(Pd)595W
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)64A
集电极脉冲电流(Icm)550A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))3.2V
栅极阈值电压(Vge(th))5V
栅极电荷量(Qg)350nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)7.9nF
输出电容(Coes)640pF
反向传输电容(Cres)170pF
开启延迟时间(Td(on))30ns
关断延迟时间(Td(off))210ns
导通损耗(Eon)5mJ
关断损耗(Eoff)6.2mJ
反向恢复时间(Trr)200ns
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 针对低导通和开关损耗进行优化
  • 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)
  • 高电流能力
  • 隔离电压2500V~
  • 反并联超快二极管
  • 国际标准封装

应用领域

  • 功率逆变器
  • 不间断电源(UPS)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 焊接机
  • 灯镇流器

数据手册PDF