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IXFN300N10P实物图
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IXFN300N10P

IXFN300N10P

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商品型号
IXFN300N10P
商品编号
C6577962
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)295A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.07kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)279nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)417pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB 封装在功率耗散水平约达 50 W 的所有商用 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB 较低的热阻和封装成本使其在整个行业得到广泛认可。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF