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IXFA20N50P3实物图
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IXFA20N50P3

IXFA20N50P3

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商品型号
IXFA20N50P3
商品编号
C6577930
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
属性参数值
耗散功率(Pd)380W
阈值电压(Vgs(th))3V

商品概述

这款 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用专有平面条形和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

商品特性

  • 快速本征整流器
  • 雪崩额定
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-激光驱动器-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF