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IPB600N25N3GATMA1
1个N沟道 耐压:250V 电流:25A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB600N25N3GATMA1
- 商品编号
- C6577157
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@25A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@90uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.35nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
- 适用于高频开关和同步整流