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IPP60R040S7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- 适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R040S7XKSA1
- 商品编号
- C6577191
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.127nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管壳和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- CoolMOS S7技术可在最小的封装尺寸内实现40mΩ的导通电阻(RDS(on))
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 采用TO220封装,芯片连接完全无铅
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能