IPP60R040S7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- 适用于低频开关应用,具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值,显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化,非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源和逆变器拓扑中的线路整流。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R040S7XKSA1
- 商品编号
- C6577191
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.127nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IPP60R040S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET,拥有最低的导通电阻(Rdson)值,显著提高了能源效率。 CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计,以及开关电源(SMPS)和逆变器拓扑中的线路整流。
商品特性
- CoolMOS S7技术可在最小的封装尺寸内实现40mΩ的导通电阻(RDS(on))
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- 采用TO220封装,芯片连接完全无铅
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能
- IA30ASF15DOM1
- IPRJCONN-P
- IA30ASN22DOM1
- IA30DSF10PO
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- IPS1-110-01-L-D-VS-PL
- IPS1-110-01-L-D-VS-PL-K
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- IPS1-110-01-S-D-VS-FL-LC
- IAS0115D15

