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IPN50R3K0CEATMA1

1个N沟道耐压:550V 电流:2.6A

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描述: CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPN50R3K0CEATMA1
商品编号: C6577182
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.19克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台,能够在满足最高效率标准的同时,适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性,并且在市场上拥有最佳的降本性能比。

商品特性

极低的损耗,因为具有极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss
极高的换向耐用性
易于使用/驱动
无铅镀层,无卤模塑料
适用于标准等级应用

应用领域

-适配器-充电器-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	550V
	连续漏极电流(Id)	2.6A
	导通电阻(RDS(on))	3Ω@13V
	耗散功率(Pd)	5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	4.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	84pF
	反向传输电容(Crss)	19pF
	工作温度	-40℃~+150℃