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IPL60R105P7AUMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:21A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL60R105P7AUMA1
- 商品编号
- C6577175
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 137W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.952nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 646pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳,>2kV(HBM)
- 低RDS(on)A(低于1Ohmmm2)使RDS(on)/封装产品优于竞品
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级-电脑主机-适配器-LCD和PDP电视-照明-服务器-电信-UPS