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IPL60R105P7AUMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:21A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPL60R105P7AUMA1
商品编号: C6577175
商品封装: VSON-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.27克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换相时的出色耐用性以及优异的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于出色的换相耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
显著降低开关和传导损耗
所有产品的ESD耐用性极佳,>2kV(HBM)
低RDS(on)A(低于1Ohmmm2)使RDS(on)/封装产品优于竞品
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

-PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级-电脑主机-适配器-LCD和PDP电视-照明-服务器-电信-UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	21A
	导通电阻(RDS(on))	105mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	137W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.952nF
	反向传输电容(Crss)	646pF
	工作温度	-40℃~+150℃