STS10P4LLF6-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:16.1A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8;P—Channel沟道,-40V;-16.1A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STS10P4LLF6-VB商品编号
C710098商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.275克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 16.1A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V,16.1A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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