XP151A11B0MR-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;这是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N),采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.7~2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- XP151A11B0MR-VB
- 商品编号
- C710114
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V;33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- XP161A1355PR-VB
- ZVN3306FTA-VB
- ZVP3306FTA-VB
- ZXM61N02FTA-VB
- ZXM66P03N8TA-VB
- ETPSF270M6E
- NCV4275ADT50RKG
- THD1015-28CL-SN
- K2-1806SW-A3DW-04
- 11-22/R6G6C-A01/2T
- 12-11/BHC-ZL1M2QY/2C
- 23-23B/R6GHBHC-A30/2T
- 264-7SURT/S530-A3
- 3003UM2C/L6575K5N6U49/TR8-T
- 3004UM2C/L7277I5L6U27-T
- 45-11-BFSB-49373902E-2T8-AM
- 45-11-BNSB-39404501E-2T8-AM
- 62-119UN2C/T5260N8NABD/TR8-T
- 65-21B2P/V2W2E/2T
- 67-11-BHC-F0Q2S1M0E-2T8-AM
- 67-11-BUTT-JM0JL0V1AAH7C-2T8-AM(SV)


