温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXM66P03N8TA-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXM66P03N8TA-VB
- 商品编号
- C710119
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V；13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
其他推荐
- ETPSF270M6E
- NCV4275ADT50RKG
- THD1015-28CL-SN
- K2-1806SW-A3DW-04
- 11-22/R6G6C-A01/2T
- 12-11/BHC-ZL1M2QY/2C
- 17-21/GHC-XS2T2M/3T
- 23-23B/R6GHBHC-A30/2T
- 264-7SURT/S530-A3
- 3003UM2C/L6575K5N6U49/TR8-T
- 3004UM2C/L7277I5L6U27-T
- 45-11-BFSB-49373902E-2T8-AM
- 45-11-BNSB-39404501E-2T8-AM
- 62-119UN2C/T5260N8NABD/TR8-T
- 65-21B2P/V2W2E/2T
- 67-11-BHC-F0Q2S1M0E-2T8-AM
- 67-11-BUTT-JM0JL0V1AAH7C-2T8-AM(SV)
- 67-31EP6-UYD8395DAFAZ5-ET0D-AM
- 67-31EU-URD1224BACB1828Z5-2T0C-AM
- 7344-15UTC/S400-X9
- 99-213/GHC-YW1X1E/2C