STS2305A-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V;Vth=-0.5~-1.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STS2305A-VB
- 商品编号
- C710099
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器(PA)开关
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- STT8205S-VB
- TK8S06K3L-VB
- TPC8121-VB
- TPC8206-VB
- UT3N06G-AE3-VB
- XP151A11B0MR-VB
- XP161A1355PR-VB
- ZVN3306FTA-VB
- ZVP3306FTA-VB
- ZXM61N02FTA-VB
- ZXM66P03N8TA-VB
- ETPSF270M6E
- NCV4275ADT50RKG
- THD1015-28CL-SN
- K2-1806SW-A3DW-04
- 11-22/R6G6C-A01/2T
- 12-11/BHC-ZL1M2QY/2C
- 23-23B/R6GHBHC-A30/2T
- 264-7SURT/S530-A3
- 3003UM2C/L6575K5N6U49/TR8-T
- 3004UM2C/L7277I5L6U27-T


