TPC8206-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:7A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双N+P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8;2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPC8206-VB
- 商品编号
- C710109
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V;30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- UT3N06G-AE3-VB
- XP151A11B0MR-VB
- XP161A1355PR-VB
- ZVN3306FTA-VB
- ZVP3306FTA-VB
- ZXM61N02FTA-VB
- ZXM66P03N8TA-VB
- ETPSF270M6E
- NCV4275ADT50RKG
- THD1015-28CL-SN
- K2-1806SW-A3DW-04
- 11-22/R6G6C-A01/2T
- 12-11/BHC-ZL1M2QY/2C
- 23-23B/R6GHBHC-A30/2T
- 264-7SURT/S530-A3
- 3003UM2C/L6575K5N6U49/TR8-T
- 3004UM2C/L7277I5L6U27-T
- 45-11-BFSB-49373902E-2T8-AM
- 45-11-BNSB-39404501E-2T8-AM
- 62-119UN2C/T5260N8NABD/TR8-T
- 65-21B2P/V2W2E/2T


