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SM2A18NSV-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:1A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFET，采用Trench技术，适合于小型模块和空间受限的应用场合。SOT223；N—Channel沟道,200V；1A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SM2A18NSV-VB
- 商品编号
- C710078
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单