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RYU002N05T306-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RYU002N05T306-VB商品编号
C710059商品封装
SC-70-3包装方式
编带
商品毛重
0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA | |
| 功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 30pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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