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MEE15N10-G
停产 1个N沟道 耐压:100V 电流:15.4A
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- MEE15N10-G
- 商品编号
- C709769
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 37.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
MEE15N10-G是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force-MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光电源电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用。
商品特性
- 在Vgs = 10V时，RDS(ON) ≤ 100mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理-同步整流-负载开关