商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 455mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品概述
该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最为苛刻的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- STP80NF55-08AG
- SSW-120-01-F-D-N
- SSW-120-01-G-T
- STPM801-TR
- SSW-120-01-L-D-N
- STPS10170CT
- SSW-120-01-L-T-042
- STPS40M120CTN
- STQN1553-5
- SSW-120-01-SM-T
- STR10100LBF_R1_00701
- SSW-120-02-F-D-008
- STR10100LSS_AY_00301
- SSW-120-02-F-T
- STR5100AFC_R1_00701
- SSW-120-02-G-D-LL
- STR5100BF_R2_00701
- STS1024S05-TR
- SSW-120-02-S-T-RA
- SSW-120-02-SM-D-RA
- SSW-120-02-T-D-RA