商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.74nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些功率MOSFET采用意法半导体(STMicroelectronics)独特的STripFET工艺开发,该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用,作为主开关使用。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- STU4N52K3
- SSW-120-01-G-T
- STPM801-TR
- SSW-120-01-L-D-N
- STPS10170CT
- SSW-120-01-L-T-042
- STPS40M120CTN
- STQN1553-5
- SSW-120-01-SM-T
- STR10100LBF_R1_00701
- SSW-120-02-F-D-008
- STR10100LSS_AY_00301
- SSW-120-02-F-T
- STR5100AFC_R1_00701
- SSW-120-02-G-D-LL
- STR5100BF_R2_00701
- STS1024S05-TR
- SSW-120-02-S-T-RA
- SSW-120-02-SM-D-RA
- SSW-120-02-T-D-RA
- SSW-120-02-T-D-RA-LL