STP80NF55-08AG
1个N沟道 耐压:55V 电流:80A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF55-08AG
- 商品编号
- C6501798
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.74nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC - Q101标准
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用