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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 525V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 334pF |
商品概述
这些MDmeshTM K3功率MOSFET是意法半导体(STMicroelectronics)MDmeshTM技术改进的成果,并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力,使其适用于要求最为严苛的应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 极低的固有电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- STU7NF25
- SSW-120-02-T-D-RA-LL
- SSW-120-02-TM-D
- SSW-120-04-S-S
- SSW-120-06-F-D-LL
- SSW-120-06-S-T
- SSW-120-06-SM-D-LL
- SSW-120-21-G-T
- SSW-120-22-F-D-RA
- STXR40AB00-1818BI
- STXR40AZ90-0806BI
- STZ5.6NFHT146
- SSW-120-22-F-S-VS-K-TR
- SSW-120-22-FM-D-LL-001
- SSW-120-22-G-D-VS-P
- SSW-120-22-G-T
- SSW-120-22-L-D-VS-TR
- SSW-120-22-S-D
- SU9HD-25013
- SSW-120-22-S-S-RA
- SU9V-01100