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STU7NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:8A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU7NF25
- 商品编号
- C6501825
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AOT20N60和AOTF20N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC - DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 175°C结温
应用领域
- 开关应用
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