STPM801-TR

STPM801集成了热插拔、软启动和ORing保护功能。它通过控制外部N沟道MOSFET两端的电压降，保护负载免受高压瞬变影响，并在过压事件（如负载突降）期间限制和调节输出。STPM801还监控输入电源，以防过压（OV）和欠压（UV）情况。集成的理想二极管控制器驱动第二个MOSFET（ORing）以替代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。STPM801控制MOSFET两端的正向电压降，并在电源故障、掉电或输入短路等故障情况下最大限度地减少反向电流瞬变。STPM801提供一系列功能，以支持需要满足汽车安全完整性等级（ASIL）A-B-C-D（取决于应用TSR）所定义的功能安全要求的应用。此外，STPM801是一款控制器，可与外部背靠背连接的N沟道功率MOSFET配合工作，实现输入电压供应线（连接至VB）与输出供应线OUT之间的连接。STPM801在OUT上提供受保护的电压供应，可抵御高压瞬变和高负载电流。该产品可用于12V或24V供电轨。器件驱动的两个N沟道晶体管分别是热插拔MOSFET和ORing MOSFET。前者用作普通电源开关；软启动功能有助于在器件上电期间限制浪涌电流。ORing MOSFET主要用作理想二极管，但也有助于在检测到反向电池时阻止电流传导。连接至HGATE的外部电容器与器件提供的HGATE电流一起用于定义软启动时间。器件通过调制DGATE电压来调节ORing MOSFET（用作理想二极管）两端的正向电压降，以确保从一个电源到另一个电源的平滑电流转移，无振荡。理想二极管快速导通，以减少电源切换期间的负载电压降。通过反向电池检测最大限度地减少反向电流瞬变。作用于DGATE的预驱动器执行快速导通/关断，以承受ISO16750标准的快速瞬变脉冲。为了以适当的时序驱动外部MOSFET，实现了带有外部飞跨电容器和储能电容器的电荷泵。电流sense放大器将分流电阻两端的电压降转换为内部过流标志。VB上存在欠压（UV）和过压（OV）诊断功能，检测阈值通过外部分压器定义。VOUT上存在对地短路（STG）检测功能。软启动和ORing MOSFET上均存在VDS比较器。ENOUT和FLT是开漏输出。如果VB-VOUT电压降低于VFULL_ON，ENOUT在启动时激活。当检测到内部故障时，FLT被置位。还提供待机模式，器件以降低的功能运行，但可减少功耗。

• AEC-Q100认证
• 单通道
• 宽输入电压范围：4V至65V
• 反向输入保护：-65V
• 2个外部N沟道MOSFET预驱动器
• 具备软启动功能
• 具备ORing功能
• WAKE为低电平时静态电流<50μA
• 集成电荷泵
• 输入过压保护
• 输入欠压保护
• 输出过流保护
• 符合16750交流纹波测试要求（50Hz-25kHz）
• 通过外部电容器可调节软启动
• 根据ISO26262开发，支持ASIL D应用

• 汽车系统中的12V/24V供电轨设备，需热插拔、软启动和ORing保护
• 需要满足汽车安全完整性等级（ASIL）A-D功能安全要求的应用
• 需抵御高压瞬变、过压、欠压、过流等故障的汽车电子设备
• 需实现反向输入保护和输出电压保持的汽车电源系统
• 需快速电源切换且无振荡的汽车电子应用场景
• 需降低功耗的待机模式应用场景
• 需符合ISO16750标准快速瞬变脉冲要求的设备
• 需对地短路检测功能的VOUT线路应用
• 需过流检测功能的负载保护场景
• 需欠压/过压诊断功能的输入电源监控应用
• 需理想二极管替代肖特基二极管的反向电流抑制场景
• 需限制上电浪涌电流的电源开关应用
• 需背靠背MOSFET控制的电源连接场景
• 需电荷泵驱动外部MOSFET的时序控制应用
• 需VDS比较器监控MOSFET状态的应用场景
• 需开漏输出（ENOUT/FLT）进行状态指示的系统
• 需外部分压器定义欠压/过压阈值的应用
• 需平滑电流转移的多电源切换系统
• 需减少电源切换时负载电压降的应用
• 需反向电池检测以阻止电流传导的场景
• 需储能电容器和飞跨电容器的电荷泵应用
• 需分流电阻进行过流检测的电流sense应用
• 需负载突降保护的高压瞬变抵御场景
• 需输出电压调节的过压事件处理应用
• 需输入电源监控的欠压/过压保护场景
• 需集成保护功能的电源控制器应用
• 需符合AEC-Q100标准的汽车电子元件应用
• 需支持ASIL D等级的功能安全应用
• 需低静态电流的待机模式应用
• 需外部电容器调节软启动时间的应用
• 需快速导通/关断预驱动器的瞬变脉冲处理应用
• 需反向输入保护的电源系统
• 需输出电压保持的掉电保护场景
• 需限制高负载电流的输出保护应用
• 需抵御高压瞬变的负载保护应用