STFI10N65K3
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFI10N65K3
- 商品编号
- C6501693
- 商品封装
- I2PAKFP(TO-281)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些SuperMESH™功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）SuperMESH™技术改进的成果，并结合了全新优化的垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，使其适用于要求最为严苛的应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 改善的二极管反向恢复特性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用