AOB12N50L
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOB12N50L
- 商品编号
- C6465389
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.633nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD3N50和AOU3N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。