ME45N03T-G
1个N沟道 耐压:30V 电流:58A
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME45N03T-G
- 商品编号
- C704956
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
ME45N03T是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOST沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 14mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 21mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器